google-site-verification: google419692fb0ee168ae.html f08c47fec0942fa0 저전력 차세대 메모리, MREM 메모리! class="color-gray post-type-text paging-view-more">
본문 바로가기

반도체

저전력 차세대 메모리, MREM 메모리!

728x90
반응형

M램(MRAM) 메모리의 개념:

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)은 자성 메모리의 일종으로, 데이터를 자화 방향을 통해 저장합니다. DRAM과 NAND 플래시 같은 전통적인 메모리는 전하를 이용해 정보를 저장하는 반면, MRAM은 나노미터 크기의 자성층을 이용하여 자화 방향(정방향/역방향)에 따라 비트 정보를 표현합니다. 대표적으로 스핀 전이 토크(Spin-Transfer Torque, STT)와 자계 효과(Magnetic Field Effect)라는 물리적 현상을 활용해 데이터를 쓰거나 지울 수 있는 메커니즘을 갖추고 있습니다.

STT이미지 from.KIPOST

MRAM은 비휘발성 메모리로, 전원 공급이 끊겨도 데이터를 유지할 수 있습니다. 또한 빠른 쓰기/읽기 속도와 높은 내구성을 제공하여 기존의 DRAM과 플래시 메모리의 단점을 보완할 수 있는 기술로 주목받고 있습니다.

M램 메모리 기술에 필요한 기술:

스핀 전이 토크 (Spin-Transfer Torque, STT):

STT는 MRAM이 빠르게 발전할 수 있도록 한 핵심 기술입니다. 스핀 전이 토크는 전류가 흐를 때 전자스핀이 발생하는 현상을 이용해, 자성층의 자화 방향을 변환하는 원리입니다. 스핀 기반 기술은 기존의 자화 변환보다 에너지 효율이 높아, 빠른 동작 속도를 지원하는 데 큰 역할을 합니다.

MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조:
MTJ는 두 자성층 사이에 절연 터널층을 둔 구조입니다. 한 자성층은 고정층, 다른 자성층은 자유층으로, 자유층의 자화 방향에 따라 저항 값이 달라져 정보를 표현할 수 있습니다. MTJ 구조의 형성 및 제어가 MRAM 제조의 핵심 기술이며, 터널링 자화 저항(TMR) 비율을 높이기 위한 연구도 지속되고 있습니다.

소재 및 공정 기술:
MRAM은 자성 소재와 절연 소재의 물리적 특성이 매우 중요한데, CoFeB, MgO 등의 고효율 자성 물질이 주로 사용됩니다.들 소재의 적층 및 패터닝 공정 기술은 MRAM의 성능과 내구성을 좌우하므로, 미세화 공정과 정밀한 패터닝 기술이 요구됩니다.

M램 메모리의 응용 분야:

저전력 및 고내구성 필요 산업:
MRAM은 비휘발성 메모리이므로 전원 차단 시에도 데이터를 보존하며, 낮은 전력으로 구동됩니다. 이러한 특성은 특히 IoT, 웨어러블 디바이스, 산업용 센서 등에서 유용합니다.

자동차 산업:
자율주행차 및 차량 내 다양한 제어 시스템에서도 MRAM이 주목받고 있습니다. 높은 내구성과 데이터 보존 특성 덕분에 극한의 온도 변화나 진동 조건에서도 안정적으로 작동할 수 있기 때문입니다.

데이터 센터 및 클라우드 컴퓨팅:
데이터 센터는 고속 데이터 처리와 에너지 효율성을 요구하는데, MRAM은 기존 DRAM과 NAND 메모리보다 낮은 전력 소모를 지원하면서 속도는 비슷한 수준을 유지할 수 있습니다. 이에 따라 대규모 데이터 저장소와 클라우드 컴퓨팅에서도 응용이 활발하게 검토되고 있습니다.

모바일 및 컴퓨팅 디바이스:
MRAM은 데이터 전송 속도가 빠르고 비휘발성 특성을 지니고 있어, 전력 소비를 줄이는 동시에 빠른 부팅을 필요로 하는 모바일 디바이스에서도 활용할 수 있습니다.

M램 메모리의 국내외 개발 현황:

국내
삼성전자와 SK하이닉스가 국내에서 MRAM 연구와 상용화에 적극적으로 참여하고 있습니다. 특히 삼성전자는 STT-MRAM을 활용한 다양한 제품을 개발하고 있으며, 일부 상용화 단계에 도달하였습니다. 또한 주요 대학과 연구소들도 자성 메모리 관련 연구에 대한 정부 지원을 받으며 기술 개발에 기여하고 있습니다.

삼성전자 MRAM최초 개발 from. 월드투데이

국외
IBM, 인텔, 그리고 글로벌 파운드리와 같은 기업들MRAM 기술 연구에 상당한 자원을 투자하고 있습니다. 일본의 도시바, 중국의 일부 메모리 제조사들도 STT-MRAM을 비롯한 차세대 메모리 기술 개발에 적극적입니다. 특히, MRAM은 미세화 공정에서 상대적으로 안정적이기 때문에 28nm 이하의 공정에서 적용 가능성이 높습니다.

M램 메모리의 시장 규모와 시장 전망:

MRAM 시장은 최근 급성장하고 있으며, 2024년 기준으로 약 수억 달러 규모로 추정됩니다. MRAM의 주요 시장은 데이터 센터, AI 가속기, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 전력 효율성이 중요한 분야에 집중되고 있습니다. 국제 반도체 시장 조사에 따르면 MRAM 시장은 매년 두 자릿수 성장률을 보이며, 특히 모바일 및 IoT 기기, 자율주행차, 스마트홈 등의 수요 증가로 지속적인 성장이 예상됩니다.

MRAM이 기존 RAM 대체 가능성 표현 이미지 from. e4ds뉴스

 

728x90
반응형